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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SIP12,.1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | JESD-609代码： | e0 |
| 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT | 端子数量： | 12 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码： | SIP12,.1 |
| 电源： | 12 V | 子类别： | RF/Microwave Amplifiers |
| 表面贴装： | NO | 技术： | HYBRID |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM2083/86 | ETC |
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RF Amplifier |
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| OM2083/87 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
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| OM2083/87 | PHILIPS |
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RF/Microwave Amplifier, Hybrid, |
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| OM20G5E-R58 | OHMITE |
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RES 2 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM20P10CSA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSAT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSTV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM20P10SA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-254AA |
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| OM20P10SAM | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10SAT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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