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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 构造： | MODULE |
| 最大工作频率： | 860 MHz | 最小工作频率： | 40 MHz |
| 射频/微波设备类型： | WIDE BAND LOW POWER | 最大电压驻波比： | 1.4 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM2083/60 | PHILIPS |
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RF/Microwave Amplifier, Hybrid |
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| OM2083/86 | ETC |
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RF Amplifier |
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| OM2083/87 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 860 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
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| OM2083/87 | PHILIPS |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, Hybrid, |
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| OM20G5E-R58 | OHMITE |
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RES 2 OHM 1W 5% AXIAL |
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| OM20P10CSA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSAT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| OM20P10CSTV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| OM20P10SA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-254AA |
|
| OM20P10SAM | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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