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NXPSC08650X

更新时间： 2024-09-24 01:24:03

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瑞能 - WEEN		二极管
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10页	262K
描述
Silicon Carbide Diode

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NXPSC08650X 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NXPSC08650X 数据手册

NXPSC08650X

Silicon Carbide Diode

5 January 2017

Product data sheet

1. General description

Silicon Carbide Schottky diode in a TO220F-2L plastic package, designed for high frequency

switched-mode power supplies.

2. Features and benefits

•

Highly stable switching performance

•

High forward surge capability I_FSM

Extremely fast reverse recovery time

Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives

Reduced losses in associated MOSFET

Reduced EMI

Reduced cooling requirements

RoHS compliant

Insulated package rated at 2500V RMS

3. Applications

•

Power factor correction

Telecom / Server SMPS

UPS

PV inverter

PC Silverbox

LED / OLED TV

Motor Drives

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

650

I_F(AV)

T_j

average forward

current

δ = 0.5 ; T_h≤ 59 °C; square-wave

pulse; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3; Fig. 4

junction temperature

175

°C

Static characteristics

V_F

forward voltage

I_F= 8 A; T_j= 25 °C; Fig. 6

I_F= 8 A; T_j= 150 °C; Fig. 6

1.5

1.8

1.7

2.1

Dynamic characteristics

12 3 4 5 6 7...10

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