Datasheet > NXPSC06650

NXPSC06650

更新时间： 2024-02-18 07:20:19

品牌	Logo	应用领域
瑞能 - WEEN		局域网功效二极管
页数	文件大小	规格书
8页	460K
描述
Silicon Carbide Diode

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NXPSC06650 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.94
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON CARBIDE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	36 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
参考标准：	IEC-60134	最大重复峰值反向电压：	650 V
最大反向电流：	200 µA	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

NXPSC06650 数据手册

NXPSC06650

Silicon Carbide Diode

8 October 2018

Product data sheet

1. General description

Silicon Carbide Schottky diode in a SOD59A (TO-220AC) plastic package, designed for

high frequency switched-mode power supplies.

2. Features and benefits

Highly stable switching performance

High forward surge capability I_FSM

Extremely fast reverse recovery time

Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives

Reduced losses in associated MOSFET

Reduced EMI

•

Reduced cooling requirements

RoHS compliant

3. Applications

Power factor correction

Telecom/Server SMPS

UPS

PV inverter

PC Silverbox

•

LED/OLED TV

Motor Drives

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RRM

I_F(AV)

T_j

repetitive peak reverse

voltage

650

average forward

current

δ = 0.5; T_mb≤ 124 °C; square-wave

pulse; Fig. 1; Fig. 2

junction temperature

175

°C

Static characteristics

V_Fforward voltage

I_F= 6 A; T_j= 25 °C; Fig. 4

1.5

1.7

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与NXPSC06650相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NXPSC06650B	WEEN	Silicon Carbide Diode	获取价格
NXPSC06650D	WEEN	Silicon Carbide Diode	获取价格
NXPSC06650X	WEEN	Silicon Carbide Diode	获取价格
NXPSC08650	WEEN	Silicon Carbide Diode	获取价格
NXPSC08650B	WEEN	Silicon Carbide Diode	获取价格
NXPSC08650D	WEEN	Silicon Carbide Diode	获取价格