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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 0.150 INCH, SOIC-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 25 MHz | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 4.85 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.72 mm |
| 串行总线类型： | SPI | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 3.9 mm |
| 写保护： | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NX25P10-VNI-C | WINBOND |
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Flash, 128KX8, PDSO8, |
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| NX25P10-VNI-GT | WINBOND |
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Flash, 128KX8, PDSO8, |
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| NX25P10-VNI-T | WINBOND |
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Flash, 128KX8, PDSO8, |
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| NX25P10-VPI | WINBOND |
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Flash Memory, |
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| NX25P10-VPI-C | WINBOND |
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Flash Memory, |
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| NX25P10-VPI-G | WINBOND |
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Flash Memory, |
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| NX25P10-VPI-GT | WINBOND |
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Flash Memory, |
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| NX25P10-VPI-T | WINBOND |
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Flash Memory, |
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| NX25P16-VEI | WINBOND |
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Flash Memory, |
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| NX25P16-VEI-G | WINBOND |
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Flash, 2MX8, PDSO8, |
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