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NVMFD5C466NLWFT1G PDF预览

NVMFD5C466NLWFT1G

更新时间： 2024-09-30 11:10:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 213K
描述
双 N 沟道，功率 MOSFET，40V，52A，7.4mΩ

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NVMFD5C466NLWFT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.47JESD-609代码：e3
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED端子面层：Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NVMFD5C466NLWFT1G 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET - Power, Dual  
N-Channel  
40 V, 7.4 mW, 52 A  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
7.4 mꢂ @ 10 V  
40 V  
52 A  
12.6 mꢂ @ 4.5 V  
NVMFD5C466NL  
Features  
Dual N−Channel  
D1  
D2  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
• NVMFD5C466NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical  
Inspection  
G1  
G2  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
S1  
S2  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
MARKING  
DIAGRAM  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
D1 D1  
V
DSS  
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
1
Gate−to−Source Voltage  
V
20  
V
GS  
D1  
D2  
D2  
XXXXXX  
AYWZZ  
DFN8 5x6  
(SO8FL)  
CASE 506BT  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
52  
A
C
D
ꢀ
JC  
T
C
37  
(Notes 1, 2, 3)  
D2 D2  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T
C
P
38  
W
A
D
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
R
(Notes 1, 2)  
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
19  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
15  
D
ꢀ
JA  
T = 100°C  
A
11  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.0  
1.5  
198  
W
D
R
(Notes 1, 2)  
ꢀ
JA  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ꢁ s  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
31.3  
72  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy (T = 25°C, I  
= 3 A)  
J
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
4
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
ꢀ
JC  
R
47.3  
ꢀ
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
May, 2022 − Rev. 5  
NVMFD5C466NL/D  
 
1234567

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与NVMFD5C466NLWFT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVMFD5C466NT1G ONSEMI

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 		双 N 沟道功率 MOSFET 40 V，46 A，8.1 mΩ
NVMFD5C466NWFT1G ONSEMI

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 		双 N 沟道功率 MOSFET 40 V，46 A，8.1 mΩ
NVMFD5C470N ONSEMI

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NVMFD5C470NLT1G ONSEMI

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