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NVMFD5C446NLWFT1G PDF预览

NVMFD5C446NLWFT1G

更新时间： 2024-11-20 11:13:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 230K
描述
双 N 沟道，功率 MOSFET，40V，145A，2.65mΩ

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NVMFD5C446NLWFT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.51JESD-609代码：e3
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED端子面层：Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

NVMFD5C446NLWFT1G 数据手册

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NVMFD5C446NL  
MOSFET – Power, Dual  
N-Channel  
40 V, 2.65 mW, 145 A  
Features  
www.onsemi.com  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
G
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
• NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical  
Inspection  
2.65 mꢂ @ 10 V  
3.9 mꢂ @ 4.5 V  
40 V  
145 A  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
Dual N−Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
D1  
D2  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
G1  
G2  
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
I
145  
A
C
D
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
105  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
S1  
S2  
Power Dissipation  
T
C
= 25°C  
P
125  
62  
W
A
D
R
(Notes 1, 2)  
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
MARKING  
DIAGRAM  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
25  
ꢀ
JA  
T = 100°C  
A
18  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
D1 D1  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
3.5  
1.8  
644  
W
S1  
G1  
S2  
G2  
D1  
D
1
R
(Notes 1 & 2)  
D1  
D2  
D2  
ꢀ
JA  
XXXXXX  
AYWZZ  
T = 100°C  
A
DFN8 5x6  
(SO8FL)  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ꢁ s  
I
DM  
A
A
p
CASE 506BT  
D2 D2  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+ 175  
°C  
J
stg  
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
Source Current (Body Diode)  
I
91  
A
S
W
ZZ  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
171  
mJ  
Energy (T = 25°C, I  
= 11 A)  
J
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
R
1.38  
46.9  
°C/W  
ꢀ
JC  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
ꢀ
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent  
on pulse duration and duty cycle.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
July. 2019 − Rev. 0  
NVMFD5C446NL/D  
 
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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