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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTTFS4823N
NTTFS4823N PDF预览

NTTFS4823N

更新时间： 2024-02-25 19:59:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 129K
描述
Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N−Channel, 8FL

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NTTFS4823N 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DFN
包装说明：3.30 X 3.30 MM, LEAD FREE, CASE 511AB-01, WDFN-8针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：31 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：12.6 A最大漏源导通电阻：0.0175 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：32.9 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTTFS4823N 数据手册

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NTTFS4823N  
Power MOSFET  
30 V, 50 A, Single N−Channel, m8FL  
Features  
• Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
• This is a Pb−Free Device  
DS(on)  
http://onsemi.com  
V
R
DS(on)  
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
Applications  
10.5 mW @ 10 V  
17.5 mW @ 4.5 V  
30 V  
50 A  
• DC−DC Converters  
• High Side Switching  
N−Channel MOSFET  
D (5−8)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
V
DSS  
30  
20  
V
V
A
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
12.6  
9.1  
2.1  
A
G (4)  
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 85°C  
A
Power Dissipation R  
(Note 1)  
T = 25°C  
A
P
D
W
A
q
JA  
S (1,2,3)  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
17.5  
12.6  
4.0  
A
MARKING DIAGRAM  
Current R  
(Note 1)  
≤ 10 s  
q
JA  
T = 85°C  
A
1
1
S
S
S
G
D
D
D
D
Power Dissipation  
≤ 10 s (Note 1)  
T = 25°C  
P
I
W
A
A
D
D
D
WDFN8  
(m8FL)  
4823  
AYWWG  
G
R
q
JA  
Steady  
State  
CASE 511AB  
FLAT LEAD  
Continuous Drain  
Current R (Note 2)  
T
T
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
7.1  
5.1  
D
C
C
C
q
JA  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
I
0.66  
W
A
4823  
A
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
R
q
JA  
Y
Continuous Drain  
Current R (Note 1)  
T
T
T
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
50  
36  
D
C
C
C
WW  
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
q
JC  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
32.9  
W
(Note: Microdot may be in either location)  
R
q
JC  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
I
DM  
150  
90  
A
A
A
p
ORDERING INFORMATION  
Current Limited by Pkg.  
T = 25°C  
A
I
DmaxPkg  
†
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
stg  
−55 to  
°C  
Device  
Package  
Shipping  
J
T
+150  
NTTFS4823NTAG  
WDFN8 1500/Tape & Reel  
Source Current (Body Diode)  
I
S
33  
6
A
(Pb−Free)  
Drain to Source DV/DT  
dV/dt  
V/ns  
mJ  
NTTFS4823NTWG WDFN8 5000/Tape & Reel  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy  
E
AS  
31  
(Pb−Free)  
(T = 25°C, V = 50 V, V = 10 V,  
J
DD  
GS  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
I = 25 A , L = 0.1 mH, R = 25 W)  
L
pk  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
June, 2009 − Rev. 2  
NTTFS4823N/D  
 
123456

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