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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTL12-2R5M | YAGEO |
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负温度系数热敏电阻 |
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| NTL4502N | ONSEMI |
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Quad Power MOSFET 24 V, 15 A, N−Channel, PInPAK-TM Package |
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| NTL4502NT1 | ONSEMI |
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Quad Power MOSFET 24 V, 15 A, N−Channel, PInPAK-TM Package |
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| NTL4502NT1G | ONSEMI |
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TRANSISTOR 11.4 A, 24 V, 0.013 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEADLESS, CAS |
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| NTLGD3502N | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package |
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| NTLGD3502NT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package |
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| NTLGD3502NT2G | ONSEMI |
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Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N−Channel, DFN6 3x3 mm Package |
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| NTLGF3402P | ONSEMI |
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Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −3.9 A FETKY, P−Channel, 2.0 A Sc |
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| NTLGF3402PT1G | ONSEMI |
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Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −3.9 A FETKY, P−Channel, 2.0 A Sc |
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| NTLGF3402PT1G | ROCHESTER |
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2.3A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3 X 3 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, CASE 5 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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