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NTE95-TO111

更新时间: 2024-11-23 21:07:51
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NTE 开关晶体管
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1页 55K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin

NTE95-TO111 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.77
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):90JEDEC-95代码:TO-111
JESD-30 代码:O-MUPM-D3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:40 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

NTE95-TO111 数据手册

  

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