NTE937M

更新时间： 2024-02-15 00:03:03

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NTE		运算放大器放大器电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	36K
描述
Integrated Circuit JFET Input Operational Amplifier

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NTE937M 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA	标称共模抑制比：	80 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电流 (IIO)：	0.002 µA
最大输入失调电压：	13000 µV	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
JESD-609代码：	e0	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	负供电电压上限：	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	+-15 V
认证状态：	Not Qualified	最小摆率：	30 V/us
标称压摆率：	50 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	10 mA	供电电压上限：	18 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	20000 kHz	最小电压增益：	15000
Base Number Matches：	1

NTE937M 数据手册

NTE937M

Integrated Circuit

JFET Input Operational Amplifier

Description:

The NTE937M is a monolithic JFET input operational amplifier in an 8–Lead DIP type package incor-

porating well–matched, high voltage JFET’s on the same chip with standard bi–polar transistors. This

amplifier features low input bias and offset currents, low offset voltage and offset voltage drift, coupled

with offset adjust which does not degrade drift or common–mode rejection. It is also designed for high

slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a low 1/f

noise corner.

Advantages:

D Replaces Expensive Hybrid and Module FET OP Amps

D Rugged JFET’s Allow Blow–Out Free Handling Compared with MOSFET Input Device

D Excellent for Low Noise Applications using either High or Low Source Impedance – Very Low

1/f Corner

D Offset Adjust does not Degrade Drift or Common–Mode Rejection as in Most Monolithic Amplifiers

D New Output Stage Allows use of Large Capacitive Loads (10,000pF) without Stability Problems

D Internal Compensation and Large Differential Input Voltage Capability

Applications:

D Precision High Speed Integrators

D Fast D/A and A/D Converters

D High Impedance Buffers

D Wideband, Low Noise, Low Drift Amplifiers

D Logarithmic Amplifiers

D Photocell Amplifiers

D Sample and Hold Circuits

Absolute Maximum Ratings:

Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18V

Maximum Power Dissipation (at +25°C, Note 1), P_d. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Input Voltage Range (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±16V

Output Short–Circuit Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Continuous

Maximum Operating Junction Temperature (Note 1), T_Jmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +155°C/W

Note 1. The maximum power dissipation for this device must be derated at elevated temperatures

and is dictated by T_Jmax, R_thJC, and the ambient temperature, T_A. The maximum available

power dissipation at any temperature is P_d= (T_Jmax – T_A)/R_thJCor the +25°C P_dmax, which-

ever is less.

Note 2. Unless otherwise specified, the absolute maximum negative input voltage is equal to the

negative power supply voltage.

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