NTE937

更新时间： 2024-11-22 22:50:55

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NTE		运算放大器放大器电路
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3页	38K
描述
Integrated Circuit JFET Input Operational Amplifier

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NTE937 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	METAL CAN-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA	标称共模抑制比：	80 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电流 (IIO)：	0.002 µA
最大输入失调电压：	13000 µV	JESD-30 代码：	O-MBCY-W8
JESD-609代码：	e0	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	负供电电压上限：	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	METAL
封装等效代码：	CAN8,.2	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	+-15 V	认证状态：	Not Qualified
最小摆率：	30 V/us	标称压摆率：	50 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	10 mA
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	NO	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	20000 kHz	最小电压增益：	15000
Base Number Matches：	1

NTE937 数据手册

NTE937

Integrated Circuit

JFET Input Operational Amplifier

Description:

The NTE937 is a monolithic JFET input operational amplifier in an 8–Lead Metal Can type package

incorporating well–matched, high voltage JFET’s on the same chip with standard bi–polar transistors.

This amplifier features low input bias and offset currents, low offset voltage and offset voltage drift,

coupled with offset adjust which does not degrade drift or common–mode rejection. It is also designed

for high slew rate, wide bandwidth, extremely fast settling time, low voltage and current noise and a

low 1/f noise corner.

Advantages:

D Replaces Expensive Hybrid and Module FET OP Amps

D Rugged JFET’s Allow Blow–Out Free Handling Compared with MOSFET Input Device

D Excellent for Low Noise Applications using either High or Low Source Impedance – Very Low

1/f Corner

D Offset Adjust does not Degrade Drift or Common–Mode Rejection as in Most Monolithic Amplifiers

D New Output Stage Allows use of Large Capacitive Loads (10,000pF) without Stability Problems

D Internal Compensation and Large Differential Input Voltage Capability

Applications:

D Precision High Speed Integrators

D Fast D/A and A/D Converters

D High Impedance Buffers

D Wideband, Low Noise, Low Drift Amplifiers

D Logarithmic Amplifiers

D Photocell Amplifiers

D Sample and Hold Circuits

Absolute Maximum Ratings:

Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±18V

Maximum Power Dissipation (at +25°C, Note 1), P_d. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570mW

Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Input Voltage Range (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±16V

Output Short–Circuit Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Continuous

Maximum Operating Junction Temperature (Note 1), T_Jmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +115°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C/W

Note 1. The maximum power dissipation for this device must be derated at elevated temperatures

and is dictated by T_Jmax, R_thJC, and the ambient temperature, T_A. The maximum available

power dissipation at any temperature is P_d= (T_Jmax – T_A)/R_thJCor the +25°C P_dmax, which-

ever is less.

Note 2. Unless otherwise specified, the absolute maximum negative input voltage is equal to the

negative power supply voltage.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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