NTE929

更新时间： 2024-11-22 22:50:55

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NTE		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管开关光电二极管
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描述
Integrated Circuit General Purpose, High Current, NPN Transistor Array

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NTE929 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SEPARATE, 5 ELEMENTS
JESD-30 代码：	R-PDIP-T16	元件数量：	5
端子数量：	16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	450 MHz
Base Number Matches：	1

NTE929 数据手册

NTE929

Integrated Circuit

General Purpose, High Current, NPN Transistor Array

Description:

The NTE929 is a versatile array of five high–current (to 100mA) NPN transistors on a common mono-

lithic substrate. In addition, two of these transistors (Q1 and Q2) are matched at low currents (i.e.

1mA) for applications in which offset parameters are of special importance.

Independent connections for each transistors plus a separate terminal for the substrate permit maxi-

mum flexibility in circuit design.

Features:

D High I_C100mA max

D Low V_CEsat(at 50mA) 0.7V max.

D Matched pair (Q1 and Q2)

V₁₀(V_BEmatched): ±5mV max.

I₁₀(at 1mA): 2.5µA max.

D 5 independent transistors plus separate substrate connection.

Applications:

D Signal processing and switching systems operating from DC to VHF

D Lamp and relay driver

D Differential amplifier

D Temperature–compensated amplifier

D Thyristor firing

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Power Dissipation, P_D

Any One Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Total Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW

Derate Above 55°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Derate Linearly 6.67mW/°C

Operating Ambient Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to +125°C

Storage Temperature range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec max), T_L. . . . . . . . . . . +265°C

The following ratings apply for each transistor in the device:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Substrate Voltage, V_CIO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Note 1. The collector of each transistor of the NTE929 is isolated from the substrate by an integral

diode. The substrate must be connected to a voltage which is more negative than any collec-

tor voltage in order to maintain isolation between transistors and provide normal transistor

action. To avoid undesired coupling between transistors, the substrate terminal (Pin5)

should be maintained at either DC or signal (AC) ground. A suitable bypass capacitor can

be used to establish a signal ground.

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