NTE916

更新时间： 2024-11-21 22:50:51

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NTE		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Integrated Circuit High Current, NPN Transistor Array, Common Emitter

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NTE916 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	2.13
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	COMMON EMITTER, 7 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDIP-T16	元件数量：	7
端子数量：	16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE916 数据手册

NTE916

Integrated Circuit

High Current, NPN Transistor Array,

Common Emitter

Description:

The NTE916 is a high current transistor array in a 16–Lead DIP type package consisting of seven

silicon NPN transistors on a common monolithic substrate connected in a common–emitter config-

uration designed for directly driving seven–segment displays and light–emitting diodes (LED) dis-

plays. This device is also well suited for a variety of other drive applications including relay control

and thyristor firing.

Features:

D Seven Transistors Permit a Wide Range of Applications

D High Collector Current: I_C= 100mA Max

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage: V_CE(sat)= 400mV Typ @ 50mA

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Power Dissipation (Total Package), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750mW

Per Transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Derate Linearly Above 55°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.67mW/°C

Operating Ambient Temperature Range, T_A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec max), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . +265°C

The Following Ratings Apply for Each Transistor in the Device

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Substrate Voltage (Note 1), V_CIO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Note 1. The collector of each transistor of the NTE916 is isolated from the substrate by an integral

diode. The substrate must be connected to a voltage which is more negative that any collec-

tor voltage in order to maintain isolation between transistors and provide normal transistor

action. To avoid undesired coupling between transistors, the substrate terminal (Pin5)

should be maintained at either DC or signal (AC) ground. A suitable bypass capacitor can

be used to establish a signal ground.

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