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NTE87

更新时间： 2024-11-22 22:50:47

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applications

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NTE87 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.52
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	200 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

NTE87 数据手册

NTE87 (NPN) & NTE88 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Power Audio, Disk Head Positioner

for Linear Applications

Description:

The NTE87 (NPN) and NTE88 (PNP) are complementary silicon power transistors in a TO3 type

package designed for high power audio, disk head positioners, and other linear applications. These

devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC–to–DC

converters or inverters.

Features:

D High Safe Operating Area: 1.2A @ 100V

D Completely Characterized for Linear Operation

D High DC Current Gain: h_FE= 20 Min @ I_C= 2A

D Low Saturation Voltage: 2V

D For Low Distortion Complementry Designs

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

Collector–Emitter Voltage, V_CEX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Base Current, I_B

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Emitter Current, I_E

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Peak (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.14W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.875°C/W

Lead Temperature (During Soldering), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +265°C

Note 1. Matched complementary pairs are available upon request (NTE88MCP). Matched comple-

mentary pairs have their gain specification (h_FE) matched to within 10% of each other.

Note 2. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.

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