NTE858SM

更新时间： 2024-11-22 22:38:35

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NTE		运算放大器
页数	文件大小	规格书
3页	31K
描述
Integrated Circuit Dual, Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier

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NTE858SM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.43
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：	0.007 µA	25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
标称共模抑制比：	100 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电流 (IIO)：	0.002 µA	最大输入失调电压：	13000 µV
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
低-偏置：	YES	低-失调：	NO
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
功能数量：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	+-15 V	认证状态：	Not Qualified
标称压摆率：	13 V/us	子类别：	Operational Amplifier
最大压摆率：	5 mA	供电电压上限：	18 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	YES
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	4000 kHz	最小电压增益：	15000

NTE858SM 数据手册

NTE858M

NTE858SM

Integrated Circuit

Dual, Low–Noise JFET–Input Operational Amplifier

Description:

The NTE858M and NTE858SM are dual, low–noise JFET input operational amplifiers combining two

state–of–the–art linear technologies on a single monolithic integrated circuit. Each internally com-

pensated operational amplifier has well matched high voltage JFET input devices for low input offset

voltage. The BIFET technology provides wide bandwidths and fast slew rates with low input bias cur-

rents, input offset currents, and supply currents. Moreover, these devices exhibit low–noise and low

harmonic distortion making them ideal for use in high–fidelity audio amplifier applications.

Features:

D Available in Two Different Package Types:

8–Lead Mini DIP (NTE858M)

SOIC–8 Surface Mount (NTE858SM)

D Low Input Noise Voltage: 18nV√Hz Typ

D Low Harmonic Distortion: 0.01% Typ

D Low Input Bias and Offset Currents

D High Input Impedance: 10¹²Ω Typ

D High Slew Rate: 13V/µs Typ

D Wide Gain Bandwidth: 4MHz Typ

D Low Supply Current: 1.4mA per Amp

Absolute Maximum Ratings:

Supply Voltage

V_CC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18V

V_EE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –18V

Differential Input Voltage, V_ID. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Input Voltage Range (Note 1), V_IDR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V

Output Short–Circuit Duration (Note 2), t_S. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Continuous

Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 680mW

Derate Above T_A= +47°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mW/°C

Operating Ambient Temperature Range, T_A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0° to +70°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Note 1. The magnitude of the input voltage must not exceed the magnitude of the supply voltage or

15V, whichever is less.

Note 2. The output may be shorted to GND or either supply. Temperature and/or supply voltages

must be limited to ensure that power dissipation ratungs are not exceeded.

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TL072CD	ONSEMI	功能相似	LOW NOISE, JFET INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

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