NTE81

更新时间： 2024-02-01 14:25:13

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关放大器小信号双极晶体管通用开关
页数	文件大小	规格书
3页	27K
描述
Silicon NPN Transistor Dual Differential Amp, General Purpose Switch

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NTE81 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-78
包装说明：	TO-78, 6 PIN	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.17
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-78
JESD-30 代码：	O-MBCY-W6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	310000 ns	最大开启时间（吨）：	45000 ns
Base Number Matches：	1

NTE81 数据手册

NTE81

Silicon NPN Transistor

Dual Differential Amp, General Purpose Switch

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D

One Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 575mW

All Die Equal Power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW

Derate Above 25°C

One Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.29mW/°C

All Die Equal Power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.57mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D

One Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8W

All Die Equal Power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W

Derate Above 25°C

One Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.3mW/°C

All Die Equal Power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.3mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_Θ

One Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .^J.^C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97°C/W

All Die Equal Power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJA

One Die . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 304°C/W

All Die Equal Power . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280°C/W

Coupling Factors

Q1 – Q2

Junction–to–Ambient . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57%

Junction–to–Case . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0%

Q1 – Q3 or Q1 – Q4

Junction–to–Ambient . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55%

Junction–to–Case . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0%

Note 1. R_thJAis measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

12 3

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NTE81 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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MD2369A	CENTRAL	功能相似	Dual Transistors
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