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NTE7152

更新时间： 2024-01-18 02:20:38
品牌 Logo 应用领域
NTE 稳压器开关式稳压器或控制器电源电路开关式控制器
页数 文件大小 规格书
2页 30K
描述
Integrated Circuit Hybrid Switching Voltage Regulator

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NTE7152 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：SWITCHING REGULATOR
Base Number Matches：1

NTE7152 数据手册

 浏览型号NTE7152的Datasheet PDF文件第2页 
NTE7152  
Integrated Circuit  
Hybrid Switching Voltage Regulator  
Features:  
D Built–In Power Transistor NPN Triple Diffused Planar  
D On–Line SMPS for Color TV  
D Output Voltage is Pre–Fixed – No External Adjustment is Required  
Absolute Maximum Ratings:  
Peak Input Voltage, VIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V  
Input Current, IIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A  
Power Dissipation (TC = +100°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27W  
Maximum Power Transistor Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Operating Temperature Range (TC), Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –20° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30° to +125°C  
Electrical Characteristics: (Note 1)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 220V, I = 500mA  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Output Voltage  
V
O
V
O
V
101.5 103.0 104.5  
102.4 103.4 104.4  
Initial Value ±1  
IN  
O
Detecting Voltage (Fixed Output)  
Load Regulation  
I
IN  
= 6mA  
V
Reg  
V
IN  
V
IN  
V
IN  
= 180V to 280V  
V
LOAD  
= 220V, I = 300mA to 500mA  
Initial Value ±1  
V
O
Output Ripple  
= 180V, I = 500mA, Note 2  
(DV /DV ) x 100  
IN O  
O
1% Typ.  
Output Voltage Temperature  
Coefficient  
T = –20° to +100°C, I = 6mA  
–
±4  
–
mV/°C  
C
IN  
Saturation Voltage  
V
V
I = 2A, I = 400mA  
–
–
–
–
1.0  
1.5  
30  
1.0  
1.0  
–
V
V
CE(sat)  
C
B
I = 2A, I = 400mA  
BE(sat)  
C
B
DC Current Gain  
h
FE  
I = 1A, V = 4V  
10  
–
–
C
CE  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
I
V
= 900V, V = –1.5V  
–
mA  
mA  
CEX  
EBO  
CE  
BE  
BE  
I
V
= 5.5V  
–
–
Power Transistor Thermal  
Resistance  
R
Between Junction and Stem  
Upper Surface  
–
1.8  
°C/W  
thJC  
Switching Time  
t
–
–
–
–
7
1
µs  
µs  
V
B2  
= 250V, I = 1A, I = 150mA,  
C B1  
s
CE  
= 500mA  
I
t
f
Note 1. Recommended Case Temperature: Topr = +100°C.  
Note 2. DVIN: Input Ripple Voltage  
DVO: Output Ripple Voltage  
12

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