NTE69

更新时间： 2024-09-29 22:50:55

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NTE		晶体放大器晶体管
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描述
Silicon NPN Transistor UHF/VHF Amplifier

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NTE69

Silicon NPN Transistor

UHF/VHF Amplifier

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C

Operating Junction Temperature Tange, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357°C/W

Note 1 R_thJAis measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise noted)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Colletor–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

ON Characteristics

I = 1mA, I = 0, Note 2

–

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

I = 100µA, I = 0

C E

I = 100µA, I = 0

DC Current Gain

= 4V, I = 4mA

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Saturation Voltage

Small–Signal Characteristics

Current Gain–Bandwidth Product

Output Capaciatnce

I = 10mA, I = 1mA

200

750

350

950

CE(sat)

BE(sat)

I = 10mA, I = 1mA

–

= 12V, I = 4mA, f = 100MHz

750 1100

–

MHz

obo

= 10V, I = 0, f = 1MHz

–

0.8

–

1.0

9.5

Collector–Base Time Constant

rbC

= 12V, I = 4mA, f = 31.8MHz

Note 2 Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%

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