NTE6410

更新时间： 2024-11-23 22:50:51

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体晶体管单结晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Unijunction Transistor (UJT)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE6410 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	2.12	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大发射极电流：	50 mA
最大基极间电压：	35 V	最大本征偏离比：	0.85
最小本征偏离比：	0.7	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大峰点电流：	5 mA	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	最大基极间静态电阻：	9.1 k Ω
最小基极间静态电阻：	4 k Ω	子类别：	Unijunction Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最小谷点电流：	4 mA
Base Number Matches：	1

NTE6410 数据手册

NTE6410

Unijunction Transistor (UJT)

Description:

The NTE6410 is a PN unijunction transistor in a TO92 type package designed for use in pulse and

timing circuits, sensing circuits and thyristor trigger circuits.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless other specified)

RMS Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mW/°C

RMS Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Peak–Pulse Emitter Current (Note 1), I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A

Emitter Reverse Voltage, V_B2E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Interbase Voltage (Note 2), V_B2B1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Note 1. Duty cycle ≤ 1%, PRR = 10 PPS

Note 2. Based upon power dissipation at T_A= +25°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless other specified)

Parameter

Intrinsic Standoff Ratio

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

= 10V, Note 3

0.70

4.0

0.1

–

0.85

9.1

B2B1

Interbase Resistance

6.0

–

kΩ

Interbase Resistance Temperature Coefficient

Emitter Saturation Voltage

Modulated Interbase Current

Emitter Reverse Current

αR

0.9 %/°C

B2B1

= 10V, I = 50mA, Note 4

2.5

–

BE1(sat)

B2(Mod)

B2B1

= 10V, I = 50mA

–

µA

= 30V, I = 0

–

0.005 1.0

EB2O

B2E

Peak–Point Emitter Current

Valley–Point Current

= 25V

–

1.0

7.0

8.0

5.0

–

B2B1

= 20V, R = 100Ω, Note 4 4.0

Base–One Peak Pulse Voltage

OB1

5.0

–

Note 3. Intrinsic standoff ratio, is defined in terms of peak–point voltage, V_P, by means of the equa-

tion: V_P= η V_B2B1V_F, where V_Fis approximately 0.49 volts at +25°C @ I_F= 10µA and de-

creases with temperature at approximately 2.5mV/°C. Components R₁, C₁, and the UJT

form a relaxation oscillator, the remaining circuitry serves as a peak–voltage detector. The

forward drop of Diode D₁compensates for V_F. To use, the “call” button is pushed, and R₃

is adjusted to make the current meter, M₁, read full scale. When the “call” button is released,

the value of η is read directly from the meter, if full scale on the meter reads 1.0.

Note 4. Use pulse techniques: PW 300µs, duty cycle ≤ 2.0% to avoid internal heating, which may

result in erroneous readings.

中文翻译

下载PDF

NTE6410 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MU10	CENTRAL	功能相似	MU4893

与NTE6410相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE6411	NTE	获取价格	Bilateral Trigger Diodes (DIACS)
NTE6412	NTE	获取价格	Bilateral Trigger Diodes (DIACS)
NTE6415	NTE	获取价格	Bidirectional Thyristor Diodes (SIDAC)
NTE6416	ETC	获取价格
NTE6417	ETC	获取价格
NTE6418	ETC	获取价格
NTE6419	NTE	获取价格	Bidirectional Thyristor Diodes (SIDAC)
NTE65	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Voltage, Low Noise for CATV, MATV
NTE6502	NTE	获取价格	Microprocessor,
NTE6507	NTE	获取价格	Integrated Circuit NMOS, 8 Bit Microprocessor (MPU) w/On-Chip Clock OSC

与NTE6410相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE6410

NTE6410 技术参数

NTE6410 数据手册

NTE6410 替代型号

与NTE6410相关器件

与NTE6410相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE6410

NTE6410 技术参数

NTE6410 数据手册

NTE6410 替代型号

与NTE6410相关器件

与NTE6410相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？