NTE6401

更新时间： 2024-02-03 12:49:38

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NTE		晶体晶体管单结晶体管开关
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描述
Unijunction Transistor

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NTE6401 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	2.11	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE2	配置：	SINGLE
最大发射极电流：	50 mA	最大基极间电压：	35 V
最大本征偏离比：	0.75	最小本征偏离比：	0.56
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	最大峰点电流：	5 mA
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
最大基极间静态电阻：	9.1 k Ω	最小基极间静态电阻：	4.7 k Ω
子类别：	Unijunction Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最小谷点电流：	4 mA	Base Number Matches：	1

NTE6401 数据手册

NTE6401

Unijunction Transistor

Description:

The NTE6401 is designed for use in pulse and timing circuits, sensing circuits and thyristor trigger

circuits.

Features:

D Low Peak Point Current: 5µA (Max)

D Low Emitter Reverse Current: .005µA (Typ)

D Passivated Surface for Reliability & Uniformity

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Power Dissipation (Note 1), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

RMS Emitter Current, I_E(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Peak Pulse Emitter Current (Note 2), i_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Emitter Reverse Voltage, V_B2E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Interbase Voltage, V_B2B1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to 125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Note 1 Derate 3mW/°C increase in ambient temperature. The total power dissipation (available

power to Emitter and Base–Two) must be limited by the external circuitry.

Note 2 Capacitor discharge – 10µF or less, 30 volts or less

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

0.56

4.7

Typ Max Unit

Intrinsic Standoff Ratio

= 10V, Note 3

–

7.0

–

0.75

9.1

–

B2B1

Interbase Resistance

= 3V, I = 0

kΩ

B2B1

Interbase Resistance Temperature

Coefficient

0.1

0.9 %/°C

Note 3. Intrinsic standoff ratio, η is defined by equation:

η = V_P– V_F

V_B2B1

where

V_P= Peak Point Emitter Voltage

V_B2B1= Interbase Voltage

V_F= Emitter to Base–One Junction Diode Drop ( 0.45V @ 10µA)

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