NTE6400A

更新时间： 2024-09-29 22:50:51

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NTE		晶体晶体管单结晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Unijunction Transistor

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NTE6400A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	2.14	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大发射极电流：	50 mA
最大基极间电压：	55 V	最大本征偏离比：	0.67
最小本征偏离比：	0.54	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大峰点电流：	25 mA	最大功率耗散 (Abs)：	0.45 W
认证状态：	Not Qualified	最大基极间静态电阻：	12 k Ω
最小基极间静态电阻：	4 k Ω	子类别：	Unijunction Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最小谷点电流：	8 mA
Base Number Matches：	1

NTE6400A 数据手册

NTE6400 & NTE6400A

Unijunction Transistor

Description:

The NTE6400 & NTE6400A Silicon Unijunction Transistors are three terminal devices having a stable

“N” type negative resistance characteristic over a wide temperature range. A stable peak point volt-

age, a low peak point current, and a high pulse pulse current make these devices useful in oscillators,

timing circuits, trigger circuits, and pulse generators where they can serve the purpose of two conven-

tional silicon or germanium transistors.

These devices are intended for applications where circuit economy is of primary importance.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

RMS Power Dissipation, P_D

Unstabilized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450mW

Stabilized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9mW/°C

RMS Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Peak Emitter Current (T_J= +150°C), I_E(peak). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Emitter Reverse Voltage (T_J= +150°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Interbase Voltage, V_BB

NTE6400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

NTE6400A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55V

Operating Temperature Range, T_opr

Unstabilized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +140°C

Stabilized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.16°C/mW

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Intrinsic Standoff Ratio

NTE6400

V_BB= 10V, Note 1

0.4

–

0.80

0.67

NTE6400A

Interbase Resistance

R_BBO

V_BB= 3V, I_E= 0, Note 1

–

kΩ

µA

Modulated Interbase Current

I_B2(MOD)V_BB= 10V, I_E= 50mA

6.8

Emitter Reverse Current

NTE6400

I_EO

V_B2E= 30V, I_B1= 0

–

NTE6400A

Peak Point Emitter Current

Valley Point Current

I_P

I_V

V_BB= 25V

–

µA

V_BB= 20V, R_B2= 100Ω

Base–One Peak Pulse Voltage

V_OB1

–

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