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NTE6248

更新时间: 2024-02-25 12:02:41
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页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
Silicon Schottky Barrier Rectifier

NTE6248 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:2.12应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:16 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向恢复时间:0.05 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

NTE6248 数据手册

 浏览型号NTE6248的Datasheet PDF文件第2页 
NTE6248  
Silicon Schottky Barrier Rectifier  
Features:  
D Guarding for Stress Protection  
D Low Forward Voltage  
D High Current Capability  
D High Surge Capability  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics:  
(TA = +25°C unless otherwise specified. Resistive or inductive load.)  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Maximum RMS Voltage, VRMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V  
Maximum DC Blocking Voltage, VDC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Maximum Average Rectified Forward Current (TC = +100°C), IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A  
Peak Forward Surge Current, IFSM  
(8.3ms single half sine–wave superimposed on rated load) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250A  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (IF = 16A), VF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5V  
Maximum DC Reverse Current (rated DC Blocking Voltage), IR  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µA  
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500µA  
Maximum Reverse Recovery Time (TJ = +25°C, Note 1), TRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50ns  
Typical Junction Capacitance (Note 2), CJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145pF  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C  
Note 1. Reverse Recovery Test Conditions: IF = 500mA, IR = 1A, recover to 250mA.  
Note 2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4V.  

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