NTE621

更新时间： 2024-11-27 22:50:55

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NTE		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	20K
描述
Silicon Rectifier, General Purpose, High Voltage, Standard Recovery (Surface Mount)

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NTE621 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	0.57	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

NTE621 数据手册

NTE621

Silicon Rectifier, General Purpose, High Voltage,

Standard Recovery

(Surface Mount)

Features:

D High Temperature Metallurgically Bonded

D Glass Passivated Junction

D High Temperature Soldering Guaranteed:

+450°C/5 Seconds at Terminals. Complete Device Submersible Temperature of

+260°C/10 Seconds in Solder Bath.

Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified.

60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.)

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Maximum RMS Voltage, V_RMS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V

Maximum DC Blocking Voltage, V_DC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Maximum Average Forward Rectified Current, I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Peak Forward Surge Current, I_FSM

(8.3ms Single Half Sine–Wave Superimposed on Rated Load) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Maximum Instantaneous Forward Voltage (I_T= 1A), V_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1V

Maximum DC Reverse Current (V_DC= 400V), I_R

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µA

T_A= +125°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50µA

Maximum Full Load Reverse Current (Full Cycle Average at T_A= +75°C), I_R(AV). . . . . . . . . . . 30µA

Typical Junction Capacitance (Note 1), C_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15pF

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Terminal (Note 2), R_thJL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30°C/W

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 3), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75°C/W

Note 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4V_DC.

Note 2. Thermal resistance, junction–to–terminal, 6.0mm²copper pads to each terminal.

Note 3. Thermal resistance, junction–to–ambient, 6.0mm²copper pads to each terminal.

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NTE621 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
GL41G-E3/96	VISHAY	类似代替	DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
BYM10-400-E3/96	VISHAY	类似代替	Diode 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE6210	NTE	获取价格	Positive Center Tapped Silicon Recitifers 30 Amp(15A per diode)
NTE622	NTE	获取价格	Silicon Rectifier, General Purpose, High Voltage, Fast Recovery (Surface Mount)
NTE6220	NTE	获取价格	Powerblock Modules
NTE6222	NTE	获取价格	Powerblock Modules
NTE623	NTE	获取价格	Silicon Rectifier Fast Recovery, Dual, Center Tap
NTE6230	NTE	获取价格	Powerblock Modules
NTE6232	NTE	获取价格	Powerblock Module
NTE6234	NTE	获取价格	Powerblock Module
NTE6236	NTE	获取价格	Powerblock Module
NTE6238	ETC	获取价格

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