NTE617

更新时间： 2024-11-24 22:50:55

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NTE		二极管变容二极管
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描述
Varactor Diode

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NTE617 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.8
最小击穿电压：	32 V	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差：	6.85%	最小二极管电容比：	2.5
标称二极管电容：	34 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
最大功率耗散：	0.28 W	认证状态：	Not Qualified
最小质量因数：	100	最大重复峰值反向电压：	32 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

NTE617 数据手册

NTE617

Varactor Diode

Description:

The NTE617 is a dual voltage–variable capacitance diode designed for FM tuning, general frequency

control and tuning, or any top–of–the–line application requiring back–to–back diode configurations

for minimum signal distortion and detuning. This device is supplied in the popular TO92 type plastic

package for high volume, economical requirements of consumer and industrial applications.

Features:

D High Figure of Merit: Q = 140 (Typ) @ V_R= 3V, f = 100MHz

D Guaranteed Capacitance Range: 34 – 39pF @ V_R= 3V

D Dual Diodes – Save Space and Reduce Cost

D Monolithic Chip Provides Near Perfect Matching: Guaranteed ±1% (Max) Over Specified

Tuning Range

Absolute Maximum Ratings (Each Device):

Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32V

Forward Current, I_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Electrical Characteristics (Each Device): (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

BV_R

I_R

Test Conditions

I_R= 10µA

Min Typ Max Unit

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Voltage Leakage Current

–

500

–

T_A= +25°C

T_A= +60°C

V_R= 30V

–

Series Inductance

Case Capacitance

L_S

C_C

f = 250MHz, Lead Length [ 1/16”

f = 1MHz, Lead Length [ 1/16”

V_R= 4V, f = 1MHz

–

0.18

–

Diode Capactance Temperature

Coefficient

TC_C

–

280 400 ppm/°C

Diode Capacitance

Figure of Merit

C_T

V_R= 3V, f = 1MHz

100

2.5

–

140

2.8

V_R= 3V, f = 100MHz, Note 1

C₃/C₃₀, f = 1MHz

Capacitance Ratio

C_R

Note 1. Q =

2 π f C_TR_S

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