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NTE6088

更新时间： 2024-01-13 18:54:23

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描述
Silicon Dual Schottky Rectifier

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NTE6088 数据手册

NTE6088

Silicon Dual Schottky Rectifier

Description:

The NTE6086 is a silicon dual power rectifier in a TO220 type package designed using the Schottky

Barrier principle with a platinum barrier metal.

Features:

D 20 Amps Total (10 Amps Pre Diode Leg)

D Guarding for Stress Protection

D Low Forward Voltage

D +150°C Operating Junction Temperature

D Guaranteed Reverse Avalanche

Absolute Maximum Ratings (Per Diode Leg):

Peak Repetitive Reverse Voltage, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Working Peak Reverse Voltage, V_RWM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

DC Blocking Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Average Rectified Forward Current (V_R= 100V, T_C= +133°C), I_F(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak Repetitive Forward Current (V_R= 100V, Square Wave, 20kHz, T_C= +133°C), I_FRM. . . . 20A

Non–Repetitive Peak Surge Current, I_FSM

(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60Hz) . . . . . . . . . . 150A

Peak Repetitive Reverse Current (2µs, 1kHz), I_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5A

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Voltage Rate of Change (V_R= 100V), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V/µs

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60°C/W

Electrical Characteristics (Per Diode Leg): (Note 1)

Parameter

Symbol

Test Conditions

i_F= 10A, T_C= +125°C

i_F= 10A, T_C= +25°C

i_F= 20A, T_C= +125°C

i_F= 20A, T_C= +25°C

V_R= 100V, T_C= +125°C

V_R= 100V, T_C= +25°C

Min Typ Max Unit

Instantaneous Forward Voltage

v_F

–

0.70

0.80

0.85

0.95

Instantaneous Reverse Current

i_R

150 mA

0.15 mA

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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NTE6088 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE6086	NTE	类似代替	Silicon Dual Schottky Rectifier
V20100CHM3/4W	VISHAY	功能相似	DIODE 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL
MBR20100CT-M3/4W	VISHAY	功能相似	Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

与NTE6088相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE6090	NTE	获取价格	Silicon Dual Power Rectifier
NTE6090{TO218}	NTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon
NTE6091	NTE	获取价格	Silicon Schottky Barrier Rectifier
NTE6092	NTE	获取价格	Silicon Schottky Barrier Rectifier
NTE6093	NTE	获取价格	Silicon Rectifier Dual, Schottky Barrier
NTE6094	NTE	获取价格	Silicon Rectifier Schottky Barrier
NTE60MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
NTE61	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applic
NTE610	NTE	获取价格	Voltage Variable Capacitance Diode (Tuning Diode)
NTE6102	NTE	获取价格	Industrial Rectifier, 550A

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