5秒后页面跳转
NTE6082 PDF预览

NTE6082

更新时间: 2024-09-30 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon Schottky Barrier Rectifier

NTE6082 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:2.15
Is Samacsys:N应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.65 VJESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:16 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:60 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

NTE6082 数据手册

 浏览型号NTE6082的Datasheet PDF文件第2页 
NTE6082  
Silicon Schottky Barrier Rectifier  
Description:  
The NTE6082 is a silicon switchmode power rectifier using the Schottky Barrier principle with a platinum  
barrier metal.  
Features:  
D Guardiring for Stress Protection  
D Low Forward Voltage  
D +150°C Operating Junction Temperature  
Maximum and Electrical Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified. Resistive or inductive  
load. For capacitive or inductive load, derate current by 20%)  
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Maximum Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Maximum DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Maximum Average Rectified Forward Current (TC = +125°C), IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A  
Peak Repetitive Forward Current (VR = 60V, Square Wave, 20kHz, TC = +125°C), IFRM . . . . . 32A  
Non–Repetitive Peak Surge Current, IFSM  
(8.3ms single half sinewave superimposed on rated load) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0µs, 1.0kHz), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Voltage Rate of Change (VR = 60V), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V/µs  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3°/W  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Per Leg, IF = 16A), VF  
TC = +125°C (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.65V  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.75V  
Maximum Instantaneous Reverse Current (Rated DC Voltage), IR  
TC = +125°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1mA  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle 2%.  

NTE6082 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRB1660HE3/81 VISHAY

功能相似

DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB
MBRB1660-E3/81 VISHAY

功能相似

DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB
MBRB1660-E3/45 VISHAY

功能相似

DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB

与NTE6082相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE6083 NTE

获取价格

Schottky Barrier Rectifier
NTE6084 NTE

获取价格

Silicon Rectifier Schottky Barrier
NTE6085 NTE

获取价格

Silicon Dual Schottky Rectifier
NTE6086 NTE

获取价格

Silicon Dual Schottky Rectifier
NTE6087 NTE

获取价格

Schottky Barrier Silicon Rectifier
NTE6088 NTE

获取价格

Silicon Dual Schottky Rectifier
NTE6090 NTE

获取价格

Silicon Dual Power Rectifier
NTE6090{TO218} NTE

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon
NTE6091 NTE

获取价格

Silicon Schottky Barrier Rectifier
NTE6092 NTE

获取价格

Silicon Schottky Barrier Rectifier