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NTE605

更新时间: 2024-01-07 03:59:36
品牌 Logo 应用领域
NTE 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 46K
描述
Stabistor Diode, 1.35V V(FM), Silicon,

NTE605 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.78
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STABISTOR DIODE最大正向电压 (VF):1.36 V
正向电压最小值(VF):1.26 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Stabistor Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL

NTE605 数据手册

  

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