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NTE601_13

更新时间： 2024-10-01 12:31:47

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NTE		二极管压敏电阻温度补偿
页数	文件大小	规格书
1页	56K
描述
Silicon Varistor Temperature Compensating Diode

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NTE601_13 数据手册

NTE601

Silicon Varistor

Temperature Compensating Diode

Features:

D High reliability planar chip and glass sealing

D Low I_R

D Large P_D

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25C unless otherwise specified)

Maximum Forward Current, I_FM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mW

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C

Electrical Characteristics: (T_A= +25C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Reverse Current

Forward Voltage

V = 6V

−

0.59

−

0.64

1.1

−

A

I = 1.5mA

I = 50mA

−

Forward Voltage Change with Respect to Temperature

−V /T

= 1.5mA

−

2.0

mV/C

.099 (2.51) Max

.022 (0.56) Max

.099 (2.51) Max

.080 (2.03)

Dia Max

.500 (12.7)

Min

.118

(3.0)

Max

.500 (12.7)

Min

Color Band Denotes Cathode

Rev. 5−13

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