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NTE60

更新时间： 2024-09-29 22:50:55

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NTE		晶体晶体管
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2页	27K
描述
Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applications

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NTE60 数据手册

NTE60 (NPN) & NTE61 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Power Audio, Disk Head Positioner

for Linear Applications

Description:

The NTE60 (NPN) and NTE61 (PNP) are complementary silicon power transistors in a TO3 type

package designed for high power audio, disk head positioners, and other linear applications.

Features:

D High Safe Operating Area: 250W @ 50V

D For Low Distortion Complementary Designs

D High DC Current Gain: h_FE= 25 Min @ I_C= 5A

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Continuous Emitter Current, I_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.43W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.70°C/W

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from Case, 10sec Max), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . +265°C

Note 1. Matched complementary pairs are available upon request (NTE61MCP). Matched comple-

mentary pairs have their gain specification (h_FE) matched to within 10% of each other.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

I = 200mA, I = 0, Note 2

140

–

CEO(sus)

= 140V, V = 1.5V

BE(off)

100

µA

CEX

= 140V, V

= 1.5V, T = +150°C

–

BE(off)

= 140V, I = 0

–

250

100

CEO

Emitter Cutoff Current

= 5V, I = 0

–

EBO

Note 2. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2%.

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