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NTE599

更新时间: 2024-09-30 10:30:23
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2页 21K
描述
Silicon Rectifier Ultra Fast, 200V, 15A

NTE599 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:2.14其他特性:FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用:ULTRA FAST RECOVERY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.975 V
JEDEC-95代码:TO-220JESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:15 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.035 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

NTE599 数据手册

 浏览型号NTE599的Datasheet PDF文件第2页 
NTE599  
Silicon Rectifier  
Ultra Fast, 200V, 15A  
Description:  
The NTE599 is a silicon rectifier in a 2–Lead TO220 type package designed for use in switching power  
supplies, inverters and as free wheeling diodes.  
Features:  
D Ultrafast 35ns Recovery Time  
D 175°C Operating Junction Temperature  
D Popular TO220 Package  
D Voltage Capacity to 200V  
D Low Forward Voltage Drop  
D Low Leakage Current Specified at TC = +150°C  
D Current Derating Specified at Both Case and Ambient Temperature  
Absolute Maximum Ratings;  
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Average Rectified Forward Current (TC = +150°C), IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Peak Repetitive Forward Current (Square Wave, 20kHz, TC = +150°C), IFM . . . . . . . . . . . . . . . 30A  
Non–Repetitive Peak Surge Current, IFSM  
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60Hz) . . . . . . . . . . . . . 200A  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W  
Electrical Characteristics:  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Instantaneous Forward Voltage  
VF  
iF = 15A, TC = +150°C, Note 1  
iF = 15A, TC = +25°C, Note 1  
VR = 200V, TC = +150°C, Note 1  
VR = 200V, TC = +25°C, Note 1  
IF = 1A, di/dt = 50A/µs  
0.85  
1.05  
V
V
Instantaneous Reverse Current  
Reverse Recovery Time  
iR  
500 µA  
10  
35  
µA  
trr  
ns  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle 2.0%  

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