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NTE5963 PDF预览

NTE5963

更新时间： 2024-11-28 22:36:47
品牌 Logo 应用领域
NTE 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp

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NTE5963 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：2.13Is Samacsys：N
应用：POWER外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JESD-30 代码：O-MUPF-P1最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最大输出电流：25 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：PRESS FIT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

NTE5963 数据手册

 浏览型号NTE5963的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5962 & NTE5963  
NTE5966 & NTE5967  
Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp  
Features:  
D 25 Amp @ TC = +100°C  
D 300 Amp Surge Capability  
D Rugged Construction  
D Available in Standard (NTE5962, NTE5966) and Reverse (NTE5963, NTE5967) Polarity  
Absolute Maximum Ratings:  
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM  
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Working Peak Reverse Voltage, VRWM  
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
DC Blocking Voltage, VB  
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
RMS Reverse Voltage, VR(RMS)  
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V  
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560V  
Average Rectified Forward Currnt (Single phase, resistive load, 60Hz, TC = +150°C), IO . . . . . 25A  
Non–Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions), IFSM . . . . . . . . . 300A  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2°C/W  
Note 1. Standard polarity is cathode to case, (*) indicated anode to case.  
Electrical Characteristics:  
Parameter  
Instantaneous Forward Voltage  
Reverse Current  
Symbol  
Test Conditions  
iF = 57A, TJ = +25°C  
VRRM = Rated Voltage, TC = +25°C  
Min Typ Max Unit  
vF  
iR  
–
–
–
–
1.7  
1.0  
V
mA  
12

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NTE5963 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N3660R MICROSEMI

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