NTE596

更新时间： 2024-09-30 10:30:23

品牌	Logo	应用领域
NTE		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Silicon Diode, Dual, Common Anode, High Speed

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE596 数据手册

NTE596

Silicon Diode, Dual, Common Anode,

High Speed

Description:

The NTE596 consists of two silicon diodes in an SOT–23 type surface mount package. The anodes

are common and the device is intended for high–speed switching applications in thick and thin–film

circuits.

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Repetitive Peak Reverse Voltage, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Non–Repetitive Peak Forward Current (Per device, t = 1s), I_FSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Average Rectified Forward Current (Average over any 20ms period, Note 1), I_F(Av). . . . . . 250mA

DC Forward Current, I_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA

Repetitive Peak Forward Current, I_FRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA

Total Power Dissipation (T_A≤ +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Thermal Resistance, Junction–to–Tab, R_thJT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60K/W

Thermal Resistance, Tab–to–Soldering Points, R_thTS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 x 280K/W

Thermal Resistance, Soldering Points–to–Ambient (Note 2), R_thSA. . . . . . . . . . . . . . . . . 2 x 90K/W

Note 1. Measured under pulse conditions: t_p≤ 0.5ms, I_F(AV)= 150mA, t_(av)≤ 1ms, for sinusoidal

operation.

Note 2. Mounted on a ceramic substrate of .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).

Electrical Characteristics (Per Diode): (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Forward Voltage

Symbol

Test Conditions

I_F= 1mA

Min

–

Typ

–

Max Unit

715 mV

855 mV

1000 mV

1250 mV

V_F

I_F= 10mA

–

I_F= 50mA

–

I_F= 150mA

–

Reverse Current

I_R

V_R= 70V

–

2.5

µA

V_R= 70V, T_J= +150°C

V_R= 0, f = 1MHz

t_r= 20ns

–

Diode Capacitance

C_d

V_fr

–

Forward Recovery Voltage

–

1.75

(When switched to I_F= 10mA)

中文翻译

下载PDF

与NTE596相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5962	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp
NTE5963	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp
NTE5966	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp
NTE5967	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp
NTE597	NTE	获取价格	Silicon Rectifier Ultra Fast, 200V, 8A
NTE598	NTE	获取价格	Silicon Rectifier Ultra Fast, 600V, 8A
NTE5980	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp
NTE5981	NTE	获取价格	NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp
NTE5982	NTE	获取价格	NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp
NTE5983	NTE	获取价格	NTE5906, NTE5907, NTE5980 thru NTE6005 Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp

与NTE596相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

27
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

23
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

22
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE596

NTE596 数据手册

与NTE596相关器件

与NTE596相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE596

NTE596 数据手册

与NTE596相关器件

与NTE596相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？