NTE595

更新时间： 2024-02-08 00:24:57

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NTE		二极管
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描述
Silicon Diode, Dual, Common Cathode, High Speed

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NTE595 数据手册

NTE595

Silicon Diode, Dual, Common Cathode,

High Speed

Description:

The NTE595 consists of two silicon diodes in an SOT–23 type surface mount package. The cathodes

are common and the device is intended for high–speed switching applications in thick and thin–film

circuits.

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Repetitive Peak Reverse Voltage, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V

Non–Repetitive Peak Forward Current (Per device, t = 1s), I_FSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Average Rectified Forward Current (Average over any 20ms period, Note 1), I_F(Av). . . . . . 250mA

DC Forward Current, I_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA

Repetitive Peak Forward Current, I_FRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA

Total Power Dissipation (T_A≤ +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 2), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430K/W

Note 1. Measured under pulse conditions: t_p≤ 0.5ms, I_F(AV)= 150mA, t_(av)≤ 1ms, for sinusoidal

operation.

Note 2. Mounted on a ceramic substrate of .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).

Electrical Characteristics (Per Diode): (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Forward Voltage

Symbol

Test Conditions

I_F= 1mA

Min

–

Typ

–

Max Unit

715 mV

855 mV

1000 mV

1250 mV

V_F

I_F= 10mA

–

I_F= 50mA

–

I_F= 150mA

–

Reverse Current

I_R

V_R= 70V

–

µA

V_R= 70V, T_J= +150°C

V_R= 0, f = 1MHz

t_r= 20ns

–

100 µA

Diode Capacitance

C_d

V_fr

–

1.5

Forward Recovery Voltage

–

1.75

(When switched to I_F= 10mA)

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