NTE593

更新时间： 2024-11-29 04:35:59

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NTE		整流二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
Silicon Diode, High Speed Switch

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NTE593 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	2.14
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：	2 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	85 V
最大反向恢复时间：	0.006 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

NTE593 数据手册

NTE5426

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Sensitive Gate

Description:

The NTE5426 is silicon controlled rectifier (SCR) in an isolated tab TO220 type package. This device

may be switched from off–state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal and is

designed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, T_C= +110°C), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, T_C= +110°C), V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

RMS On–State Current (T_C= +80°C, 180° Conduction Angle), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle, 50 or 60Hz), I_TSM. . . . . . . . . . . . 80A

Peak Gate–Trigger Current (3µs max), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Peak Gate–Power Dissipation (I_GT= I_GTM), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W

Average Gate Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C and “Maximum Ratings” unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Peak Off–State Current

Rated V

or V , T = +110°C,

–

0.1

DRM

RG – K = 1kΩ

RRM

Maximum On–State Voltage

Gate Trigger Current, Continuous DC

Gate Trigger Voltage, Continuous DC

DC Holding Current

I = Rated Amps

–

2.0

200

0.8

3.0

2.5

–

µA

Anode Voltage = 12V, R = 60Ω

Gate Open, RG – K = 1kΩ

µs

Turn–On Time

(t + t ) I = 150mA

d r GT

Critical Rate of Rise of Off–State

Voltage

critical Gate Open, T = +110°C,

dv/dt

V/µs

RG – K = 1kΩ

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NTE593 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE178MP	NTE	类似代替	Rectifier Diode, 1 Element, 0.07A, 50V V(RRM), Silicon,
DA228KT146	ROHM	类似代替	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon,
NTE578	NTE	类似代替	Silicon Rectifier Schottky Barrier, General Purpose

与NTE593相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5930	ETC	获取价格
NTE5931	ETC	获取价格
NTE5932	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 20 Amp
NTE5933	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 20 Amp
NTE5934	NTE	获取价格	R-400PRV 75A CATHODE CASE
NTE594	NTE	获取价格	Silicon Diode, Bandswitch
NTE5940	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 15 Amp
NTE5941	ETC	获取价格
NTE5942	ETC	获取价格
NTE5943	ETC	获取价格

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