NTE592

更新时间： 2024-10-01 22:30:23

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NTE		整流二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
Silicon Diode, General Purpose, High Voltage

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NTE592 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	2.15
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.25 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：	2.5 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	250 V
最大反向恢复时间：	0.05 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

NTE592 数据手册

NTE592

Silicon Diode, General Purpose, High Voltage

Description:

The NTE592 is a silicon epitaxial high–speed diode in an SOT–23 type surface mount package. This

device is intended for switching and general purposes applications.

Absolute Maximum Ratings:

Continuous Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Repetitive Peak Reverse Voltage, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

Non–Repetitive Peak Forward Current (t = 1s), I_FSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Average Rectified Forward Current (Average over any 20ms period, Note 1), I_F(Av). . . . . . 200mA

DC Forward Current (T_A≤ +25°C, Note 2), I_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Repetitive Peak Forward Current, I_FRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mA

Total Power Dissipation (T_A≤ +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 2), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430K/W

Thermal Resistance, Tab–to–Soldering Points, R_thTS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280K/W

Thermal Resistance, Soldering Points–to–Ambient, R_thSA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90K/W

Note 1. Measured under pulse conditions: Pulse Time = t_p≤ 0.3ms.

Note 2. Mounted on a ceramic substrate of .314 (8mm) x .393 (10mm) x .027 (0.7mm).

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Forward Voltage

Symbol

Test Conditions

I_F= 100mA

I_F= 200mA

V_(BR)RI_R= 100µA, Note 1 & 3

Min

–

Typ

–

Max Unit

V_F

1.00

1.25

–

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Current

250

–

I_R

V_R= 200V

–

100 nA

V_R= 200V, T_J= +150°C

I_F= 10mA

–

100 µA

Differential Resistance

Diode Capacitance

r_diff

C_d

t_rr

–

Ω

V_R= 0, f = 1MHz

–

Reverse Recovery Time

(When switched from

I_F= 30mA to I_R= 30mA

measured at I_R= 3mA,

R_L= 100Ω

–

Note 1. Measured under pulse conditions: Pulse Time = t_p≤ 0.3ms.

Note 3. At zero life time, measured under pulse conditions to avoid excessive dissipation and voltage

limited to 275V.

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NTE592 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NRVB130T1G	ONSEMI	功能相似	Surface Mount Schottky Power Rectifier
DA228KT146	ROHM	功能相似	Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon,
NTE575	NTE	功能相似	General Purpose Silicon Rectifier Fast Recovery

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NTE5923	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 20 Amp
NTE5924	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 20 Amp
NTE5925	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 20 Amp
NTE5926	NTE	获取价格	Industrial Silicon Rectifier, 60A
NTE5927	NTE	获取价格	Industrial Silicon Rectifier, 60A
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