NTE59

更新时间： 2024-09-29 10:30:23

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon Complementary Transistors High Power Audio Output

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NTE59 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.4
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-XSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	200 W
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

NTE59 数据手册

NTE58 (NPN) & NTE59 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Power Audio Output

Features:

D High Power Dissipation

D Wide Safe Operating Area

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Total Device Dissipation (T_FL= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

200

–

Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Maximum Collector Cutoff Current

Maximum Emitter Cutoff Current

DC Forward Current Transfer Ratio

Collector–Emitter Saturation Voltage

Second Breakdown Collector Current

Cutoff Frequency

I = 50mA

–

0.1

–

(BR)CEO

= 200V, I = 0

CBO

= 6V, I = 0

–

EBO

= 4V, I = 8A

–

CE(sat)

I = 10A, I = 1A

–

2.5

–

= 100V, t = 1sec

–

S/b

= 12V, I = 1A

–

MHz

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NTE59 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SA1494	SANKEN	类似代替	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SA1493	SANKEN	类似代替	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)
2SA1695	SANKEN	功能相似	Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose)

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NTE5903	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 16 Amp
NTE5904	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 16 Amp
NTE5905	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 16 Amp
NTE5906	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp
NTE5907	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp
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