生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 2.12 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.525 V | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 80 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 3 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 40 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 技术: | SCHOTTKY |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
1N5822RLG | ONSEMI |
功能相似 |
Axial Lead Rectifiers | |
1N5820G | ONSEMI |
功能相似 |
Axial Lead Rectifiers |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE5860 | NTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5861 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5862 | ETC |
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NTE5863 | ETC |
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NTE5864 | NTE |
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Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp | |
NTE5865 | ETC |
获取价格 |
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NTE5866 | NTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5867 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5868 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5869 | NTE |
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Silicon Power Rectifier Diode, 6 Amp |