生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 2.13 | Is Samacsys: | N |
应用: | POWER | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.2 V |
JEDEC-95代码: | DO-4 | JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 |
最大非重复峰值正向电流: | 141 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最大输出电流: | 6 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 400 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE5859 | ETC |
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NTE586 | NTE |
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Silicon Rectifier Diode Schottky Barrier, Fast Switching | |
NTE5860 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5861 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5862 | ETC |
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NTE5863 | ETC |
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NTE5864 | NTE |
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Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp | |
NTE5865 | ETC |
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NTE5866 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5867 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 800V V(RRM), Silicon, DO-4, |