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NTE5855

更新时间： 2024-11-26 20:29:07

品牌	Logo	应用领域
NTE		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4,

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NTE5855 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.15	Is Samacsys：	N
应用：	POWER	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JEDEC-95代码：	DO-4	JESD-30 代码：	O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：	141 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

NTE5855 数据手册

NTE5850 thru NTE5869

Silicon Power Rectifier Diode, 6 Amp

Description and Features:

The NTE5850 through NTE5869 are low power general purpose rectifier diodes in a DO4 type pack-

age designed for battery chargers, converters, power supplies, and machine tool controls.

Features:

D High Surge Current Capability

D High Voltage Available

D Designed for a Wide Range of Applications

D Available in Anode–to–Case or Cathode–to–Case Style

Ratings and Characteristics:

Average Forward Current (T_C= +158°C Max), I_F(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Maximum Forward Surge Current, I_FSM

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134A

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141A

Fusing Current, I²t

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90A²s

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141A²s

Fusing Current, I²pt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1270A²ps

Maximum Reverse Recovery Voltage Range, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 to 1000V

Voltage Ratings: (T_J= +175°C)

–Max

V –Max.

Direct Reverse

Voltage

–Max

NTE Type Number

RRM

RSM

R(SR)

Repetitive Peak

Reverse Volt.

(V)

Non–Repetitive Peak

Reverse Voltage

(V)

Minimum Avalanche

Reverse Current

Rated V

Cathode

to Case

Anode

to Case

Voltage

(V)

RRM

(V)

(mA)

5850

5852

5854

5856

5858

5860

5862

5866

5868

5851

5853

5855

5857

5859

5861

5863

5867

5869

100

200

300

400

500

600

800

1000

150

275

385

500

613

725

950

1200

100

200

300

400

–

500

613

725

950

1200

600

800

1000

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NTE5855 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N1344B	MICROSEMI	功能相似	SILICON POWER RECTIFIER
1N1344A	MICROSEMI	功能相似	SILICON POWER RECTIFIER
1N1343B	MICROSEMI	功能相似	SILICON POWER RECTIFIER

与NTE5855相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5856	ETC	获取价格
NTE5857	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 300V V(RRM), Silicon, DO-4,
NTE5858	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, DO-4,
NTE5859	ETC	获取价格
NTE586	NTE	获取价格	Silicon Rectifier Diode Schottky Barrier, Fast Switching
NTE5860	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4,
NTE5861	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4,
NTE5862	ETC	获取价格
NTE5863	ETC	获取价格
NTE5864	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp

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