生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 2.14 | 应用: | POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.2 V | JEDEC-95代码: | DO-4 |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流: | 141 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最大输出电流: | 6 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 200 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NTE5855 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 200V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5856 | ETC |
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NTE5857 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 300V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5858 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5859 | ETC |
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NTE586 | NTE |
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Silicon Rectifier Diode Schottky Barrier, Fast Switching | |
NTE5860 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5861 | NTE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 500V V(RRM), Silicon, DO-4, | |
NTE5862 | ETC |
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NTE5863 | ETC |
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