NTE5829

更新时间： 2024-11-26 22:30:23

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NTE		整流二极管
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2页	21K
描述
Silicon Power Rectifier Diode, 50 Amp

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NTE5829 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-MUPF-P1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	2.32	Is Samacsys：	N
应用：	POWER	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-MUPF-P1	最大非重复峰值正向电流：	600 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	PRESS FIT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NTE5829 数据手册

NTE5826 thru NTE5829

Silicon Power Rectifier Diode, 50 Amp

Description:

The NTE5826 thru NTE5829 are silicon power rectifier diodes in a press–fit type package designed

for use in all medium–current applications or for higher current industrial alternators and chassis

mounted power supply rectifiers.

Features:

D 50 Amp @ T_C= +150°C

D 600 Amp Surge Capability

D Rugged Construction

D Available in Standard (NTE5826, NTE5828) and Reverse (NTE5827, NTE5829) Polarity

Absolute Maximum Ratings:

Peak Repetitive Reverse Voltage, V_RRM

NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Working Peak Reverse Voltage, V_RWM

NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

DC Blocking Voltage, V_B

NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Non–Repetitive Peak Reverse Voltage, V_RSM

NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V

NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850V

RMS Reverse Voltage, V_R(RMS)

NTE5826, NTE5827* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V

NTE5828, NTE5829* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560V

Average Rectified Forward Currnt (Single phase, resistive load, T_C= +150°C), I_O. . . . . . . . . . 50A

Non–Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions), I_FSM. . . . . . . . 600A

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +195°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +195°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8°C/W

Note 1. Standard polarity is cathode to case, (*) indicated anode to case.

Electrical Characteristics:

Parameter

Symbol

Test Conditions

i_F= 157A, T_J= +25°C

Min Typ Max Unit

Instantaneous Forward Voltage

v_F

–

1.10 1.18

0.95 1.00

0.05 0.2

i_F= 50A, T_J= +25°C

Reverse Current

i_R

V_RRM= Rated Voltage, T_C= +25°C

V_RRM= Rated Voltage, T_C= +150°C

1.0

2.0

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NTE5829 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
R5060PF	MICROSEMI	功能相似	Silicon Power Rectifier
R5080PF	MICROSEMI	功能相似	Silicon Power Rectifier
R3560PF	MICROSEMI	功能相似	Silicon Power Rectifier

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NTE5834	ETC	获取价格
NTE5835	ETC	获取价格
NTE5836	ETC	获取价格
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