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NTE5812 PDF预览

NTE5812

更新时间： 2024-01-26 15:53:35
品牌 Logo 应用领域
NTE 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 18K
描述
6 Amp Plastic Silicon Rectifier

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NTE5812 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：2.36其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
最小击穿电压：100 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向电流：10 µA
反向测试电压：100 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

NTE5812 数据手册

  
NTE5812 thru NTE5817  
6 Amp Plastic Silicon Rectifier  
Features:  
1.000 (25.4)  
Min  
.350 (8.89)  
D Diffused Junction  
D High Surge Capability  
D Completely Insulated Case  
D Uniform Molded Body  
.050 (1.27) Dia  
.350 (8.89) Dia  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified. Single  
phase half sine–wave 60Hz resistive or inductive load. For capacitive load derate current by 20%)  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
NTE5812 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5814 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5815 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
NTE5817 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V  
Maximum RMS Voltage  
NTE5812 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V  
NTE5814 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V  
NTE5815 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V  
NTE5817 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V  
Maximum DC Blocking Voltage  
NTE5812 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5814 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5815 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
NTE5817 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V  
Maximum Average Forward Rectified Current (TA = +60°C PC Board Mounting) . . . . . . . . . . . . . 6A  
Peak Forward Surge Current (8.3ms single half sine–wave superimposed on rated load) . . . 400A  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (NTE5812, NTE5814, NTE5815)  
IF = 6A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.90V  
IF = 100A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25V  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (NTE5817)  
IF = 6A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.95V  
IF = 100A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.30V  
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage  
TJ = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25µA  
TJ = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1mA  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Lead (.500 in. (12.7mm) lead length), RthJL . . . . 10°C/W  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
1

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NTE5812 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
P600B SEMIKRON

类似代替

 Standard silicon rectifier diodes
60S1-TP MCC

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, P
6A1-T DIODES

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 6.0A SILICON RECTIFIER

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