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NTE581

更新时间： 2024-10-31 22:30:23

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描述
General Purpose Silicon Rectifier Fast Recovery

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NTE581 数据手册

NTE581

General Purpose Silicon Rectifier

Fast Recovery

Features:

D Fast Switching

D Low Leakage

D Low Forward Voltage Drop

D High Current Capability

D High Surge Capability

D High Reliability

Maximum Ratings and Electrical Characteristics:

(T_A= +25°C unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%)

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Maximum RMS Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V

Maximum DC Blocking Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Maximum Average Forward Rectified Current (.375” (9.5mm) Lead Length, T_A= +75°C) . . . . . . 8A

Peak Forward Surge Current (8.3ms Single Half Sine–Wave Superimposed on Rted Load) . 300A

Maximum Instantaneous Forward Voltage (I_F= 8A) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3V

Maximum DC Reverse Current (V_DC= 400V, T_A= +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µA

Maximum Full Load Reverse Current

(Full Cycle Average, .375” (9.5mm) Lead Length, T_C= +100) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150µA

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150ns

Typical Junction Capacitance (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65pF

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Note 1. Reverse Recovery Test Conditions: I_F= 0.5A, I_R= 1.0A, I_RR= 0.25A.

Note 2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4V.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5810	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 12 Amp
NTE5811	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Diode, 12 Amp
NTE5812	NTE	获取价格	6 Amp Plastic Silicon Rectifier
NTE5814	NTE	获取价格	NTE5812 thru NTE5817 6 Amp Plastic Silicon Rectifier
NTE5814HC	NTE	获取价格	暂无描述
NTE5815	NTE	获取价格	NTE5812 thru NTE5817 6 Amp Plastic Silicon Rectifier
NTE5815HC	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 10A, 600V V(RRM),
NTE5817	NTE	获取价格	6 Amp Plastic Silicon Rectifier
NTE5817HC	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM),
NTE5818	NTE	获取价格	Silicon Power Rectifier Stud Mount, Fast Recovery, 12 Amp