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NTE58 PDF预览

NTE58

更新时间： 2024-11-05 07:15:03
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NTE 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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2页 24K
描述
Silicon Complementary Transistors High Power Audio Output

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NTE58 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.67
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：17 A集电极-发射极最大电压：200 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-XSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：200 W
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

NTE58 数据手册

 浏览型号NTE58的Datasheet PDF文件第2页 
NTE58 (NPN) & NTE59 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
High Power Audio Output  
Features:  
D High Power Dissipation  
D Wide Safe Operating Area  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17A  
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Total Device Dissipation (TFL = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W  
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
200  
–
Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Maximum Collector Cutoff Current  
Maximum Emitter Cutoff Current  
DC Forward Current Transfer Ratio  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Second Breakdown Collector Current  
Cutoff Frequency  
V
I = 50mA  
–
–
–
0.1  
0.1  
–
V
(BR)CEO  
C
I
V
= 200V, I = 0  
mA  
mA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
I
V
V
= 6V, I = 0  
–
–
EBO  
C
h
FE  
= 4V, I = 8A  
20  
–
–
C
V
CE(sat)  
I = 10A, I = 1A  
–
2.5  
–
V
A
C
B
I
V
= 100V, t = 1sec  
1
–
S/b  
CE  
CE  
f
T
V
= 12V, I = 1A  
–
20  
–
MHz  
E
12

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