NTE55

更新时间： 2024-11-02 06:00:39

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NTE		晶体驱动器音频放大器晶体管功率双极晶体管局域网
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2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors High Frequency Driver for Audio Amplifier

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NTE55 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	2.12
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	50 W
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

NTE55 数据手册

NTE54 (NPN) & NTE55 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

High Frequency Driver for Audio Amplifier

Description:

The NTE54 (NPN) and NTE55 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type case

designed for use as a high frequency driver in audio amplifier applications.

Features:

D DC Current Gain Specified to 4A:

h_FE= 40 Min @ I_C= 3A

= 20 MIn @ I_C= 4A

D Collector–Emitter Sustaining Voltage: V_CEO(sus)= 150V Min

D High Current Gain–Bandwidth Product: f_T= 30MHz Min @ I_C= 500mA

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V

Emitter–Base Voltage, V_EB). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.04W/°C

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.016W/°C

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +2.5°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +62.5°C/W

Note 1. Matched complementary pairs are available upon request (NTE55MCP). Matched comple-

mentary pairs have their gain specification (h_FE) matched to within 10% of each other.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5500	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 16 Amp
NTE5501	ETC	获取价格
NTE5502	ETC	获取价格
NTE5503	ETC	获取价格
NTE5504	ETC	获取价格
NTE5505	ETC	获取价格
NTE5506	ETC	获取价格
NTE5507	ETC	获取价格
NTE5508	ETC	获取价格
NTE5509	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 16 Amp

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