NTE5487

更新时间： 2024-11-01 22:40:43

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp

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NTE5487 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	30 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	30 mA
JEDEC-95代码：	TO-64	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
通态非重复峰值电流：	100 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	8000 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5487 数据手册

NTE5480 thru NTE5487

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

8 Amp

Description:

The NTE5480 through NTE5487 are multi–purpose PNPN silicon controlled rectifiers in a TO64 type

package suited for industrial and consumer applications. These 8 amp devices are available in volt-

ages ranging from 25V to 600V.

Features:

D Uniform Low–Level Noise–Immune Gate Triggering: I_GT= 10mA Typ @ T_C= +25°C

D Low Forward “ON” Voltage: v_T= 1V Typ @ 5A @ +25°C

D High Surge–Current Capability: I_TSM= 100A Peak

D Shorted Emitter Construction

Absolute Maximum Ratings: (T_J= –40° to +100°C unless otherwise specified)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 1), V_DRMor V_RRM

NTE5480 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

NTE5481 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

NTE5482 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5483 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5484 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5485 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5486 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE5487 (This device is discontinued) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Forward Current RMS, I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Peak Forward Surge Current (One Cycle, 60Hz, T_J= –40° to +100°C, I_TSM. . . . . . . . . . . . . . . 100A

Circuit Fusing (t ≤ 8.3ms, T_J= –40° to +100°C), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A²s

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage (Note 2), V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Operating Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W

Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for blocking

capability in a manner such that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.

Note 2. Devices should not be operated with a positive bias applied to the gate concurrently with a

negative potential applied to the anode.

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