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NTE5485

更新时间： 2024-01-06 08:07:58

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp

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NTE5485 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.12	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	30 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	30 mA
JEDEC-95代码：	TO-64	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
通态非重复峰值电流：	100 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	8000 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	断态重复峰值电压：	400 V
重复峰值反向电压：	400 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5485 数据手册

NTE5480 thru NTE5487

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

8 Amp

Description:

The NTE5480 through NTE5487 are multi–purpose PNPN silicon controlled rectifiers in a TO64 type

package suited for industrial and consumer applications. These 8 amp devices are available in volt-

ages ranging from 25V to 600V.

Features:

D Uniform Low–Level Noise–Immune Gate Triggering: I_GT= 10mA Typ @ T_C= +25°C

D Low Forward “ON” Voltage: v_T= 1V Typ @ 5A @ +25°C

D High Surge–Current Capability: I_TSM= 100A Peak

D Shorted Emitter Construction

Absolute Maximum Ratings: (T_J= –40° to +100°C unless otherwise specified)

Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 1), V_DRMor V_RRM

NTE5480 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

NTE5481 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

NTE5482 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5483 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5484 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5485 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5486 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE5487 (This device is discontinued) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Forward Current RMS, I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Peak Forward Surge Current (One Cycle, 60Hz, T_J= –40° to +100°C, I_TSM. . . . . . . . . . . . . . . 100A

Circuit Fusing (t ≤ 8.3ms, T_J= –40° to +100°C), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A²s

Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W

Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Voltage (Note 2), V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Operating Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W

Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for blocking

capability in a manner such that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.

Note 2. Devices should not be operated with a positive bias applied to the gate concurrently with a

negative potential applied to the anode.

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NTE5485 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE5437	NTE	功能相似	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
MCR8SD	ONSEMI	功能相似	Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
S4008R	LITTELFUSE	功能相似	SCRs (1 A to 70 A)

与NTE5485相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5486	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
NTE5487	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp
NTE549	NTE	获取价格	Voltage Multiplier Diode, Silicon,
NTE5491	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5492	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5494	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5496	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR)
NTE5498	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 12 Amp
NTE5499	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 12 Amp
NTE54MP	NTE	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

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