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NTE5480

更新时间： 2024-01-25 05:42:48
品牌 Logo 应用领域
NTE 可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 8 Amp

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NTE5480 技术参数

生命周期：Active包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：2.13
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：30 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：30 mAJEDEC-95代码：TO-64
JESD-30 代码：O-MUPM-D2通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：8000 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：25 V重复峰值反向电压：25 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

NTE5480 数据手册

 浏览型号NTE5480的Datasheet PDF文件第2页 
NTE5480 thru NTE5487  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
8 Amp  
Description:  
The NTE5480 through NTE5487 are multi–purpose PNPN silicon controlled rectifiers in a TO64 type  
package suited for industrial and consumer applications. These 8 amp devices are available in volt-  
ages ranging from 25V to 600V.  
Features:  
D Uniform Low–Level Noise–Immune Gate Triggering: IGT = 10mA Typ @ TC = +25°C  
D Low Forward “ON” Voltage: vT = 1V Typ @ 5A @ +25°C  
D High Surge–Current Capability: ITSM = 100A Peak  
D Shorted Emitter Construction  
Absolute Maximum Ratings: (TJ = –40° to +100°C unless otherwise specified)  
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 1), VDRM or VRRM  
NTE5480 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V  
NTE5481 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V  
NTE5482 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5483 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5484 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
NTE5485 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5486 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
NTE5487 (This device is discontinued) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Forward Current RMS, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A  
Peak Forward Surge Current (One Cycle, 60Hz, TJ = –40° to +100°C, ITSM . . . . . . . . . . . . . . . 100A  
Circuit Fusing (t ≤ 8.3ms, TJ = –40° to +100°C), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A2s  
Peak Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W  
Average Gate Power, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W  
Peak Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Peak Gate Voltage (Note 2), VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V  
Operating Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W  
Typical Thermal Resistance, Case–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W  
Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for blocking  
capability in a manner such that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.  
Note 2. Devices should not be operated with a positive bias applied to the gate concurrently with a  
negative potential applied to the anode.  
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