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NTE5416

更新时间: 2024-11-02 07:14:03
品牌 Logo 应用领域
NTE 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp, Sensitive Gate

NTE5416 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:2.11其他特性:SENSITIVE GATE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:1 V最大维持电流:5 mA
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
通态非重复峰值电流:25 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:4000 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:4.082 A断态重复峰值电压:600 V
重复峰值反向电压:600 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

NTE5416 数据手册

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NTE5411 thru NTE5416  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
4 Amp, Sensitive Gate  
Description:  
The NTE5411 through NTE5416 are PNPN silicon controlled rectifier (SCR) devices designed for  
high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control: process and re-  
mote control, and warning systems where reliability of operation is important.  
Features:  
D Passivated Surface for Reliability and Uniformity  
D Power Rated at Economical Prices  
D Practical Level Triggering and Holding Characteristics  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +110°C unles otherwise specified)  
Repetitive Peak Forward and Reverse Blocking Voltage, VDRM, VRRM  
(1/2 Sine Wave, RGK = 1000, TC = –40° to +110°C, Note 1)  
NTE5411 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
NTE5412 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
NTE5413 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5414 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5415 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5416 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage , VRSM  
(1/2 Sine Wave, RGK = 1000, TC = –40° to +110°C)  
NTE5411 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5412 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5413 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V  
NTE5414 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V  
NTE5415 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V  
NTE5416 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650V  
Average On–State Current, IT(AV)  
TC = –40° to +110°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6A  
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6A  
Surge On–State Current (TC = +90°C), ITSM  
1/2 Sine wave, 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
1/2 Sine wave, 1.5ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A  
Circuit Fusing (t = 8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6A2s  
Peak Gate Power (Pulse Width = 10µs, TC = +90°C), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W  
Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias ap-  
plied to the gate concurrently with a negative potential on the anode. Devices should not  
be tested with a constant current source for forward or reverse blocking capability such that  
the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE5411 NTE

完全替代

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