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NTE5416 PDF预览

NTE5416

更新时间： 2024-11-18 07:14:03
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NTE 栅极触发装置可控硅整流器局域网
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3页 25K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp, Sensitive Gate

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NTE5416 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：2.11其他特性：SENSITIVE GATE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：1 V最大维持电流：5 mA
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
通态非重复峰值电流：25 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：4000 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：4.082 A断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

NTE5416 数据手册

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NTE5411 thru NTE5416  
Silicon Controlled Rectifier (SCR)  
4 Amp, Sensitive Gate  
Description:  
The NTE5411 through NTE5416 are PNPN silicon controlled rectifier (SCR) devices designed for  
high volume consumer applications such as temperature, light, and speed control: process and re-  
mote control, and warning systems where reliability of operation is important.  
Features:  
D Passivated Surface for Reliability and Uniformity  
D Power Rated at Economical Prices  
D Practical Level Triggering and Holding Characteristics  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +110°C unles otherwise specified)  
Repetitive Peak Forward and Reverse Blocking Voltage, VDRM, VRRM  
(1/2 Sine Wave, RGK = 1000Ω, TC = –40° to +110°C, Note 1)  
NTE5411 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
NTE5412 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
NTE5413 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5414 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
NTE5415 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
NTE5416 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage , VRSM  
(1/2 Sine Wave, RGK = 1000Ω, TC = –40° to +110°C)  
NTE5411 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5412 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
NTE5413 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V  
NTE5414 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V  
NTE5415 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V  
NTE5416 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650V  
Average On–State Current, IT(AV)  
TC = –40° to +110°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6A  
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6A  
Surge On–State Current (TC = +90°C), ITSM  
1/2 Sine wave, 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A  
1/2 Sine wave, 1.5ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A  
Circuit Fusing (t = 8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6A2s  
Peak Gate Power (Pulse Width = 10µs, TC = +90°C), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W  
Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices shall not have a positive bias ap-  
plied to the gate concurrently with a negative potential on the anode. Devices should not  
be tested with a constant current source for forward or reverse blocking capability such that  
the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.  
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NTE5416 替代型号

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